Технологія і закон Мура. За емпіричним законом (1965 рік, однин із засновників фірми Інтел Годона Мура (Gordon Moore) “кожні 18 місяців кількість транзисторів в інтегральній схемі подвоюється, і це має тривати, принаймі декілька наступних років”. Навіть у 2002 році високопоставлені особи (VIP) з Інтел запевняють, що закон Мура мусить “працювати”, принаймі, до 2017 року, і що треба зробити все, аби цей закон “працював” швидше”. Часто-густо закон Мура трактують дещо вільно, із заміною слів “число транзисторів” на слово “продуктивність”. Від цього закон ще жодного разу не втратив коректності. Адже ми знаємо як швидко морально застарівають технічно справні персональні комп’ютери! Подамо далі вибрані відомості про сучасний стан напівпровідникових технологій, аби визначити чи відповідає темп їхнього розвитку закону Мура. Проаналізуємо подану таблицею інформацію. 1. Інтел впроваджує нове покоління технологій кожні два роки, починаючи від 1989 року. 2. Інтел на основі досягнень власного підрозділу з наукових досліджень гарпнтує узятий темп зміни технологій принаймі протягом наступного десятиліття. 3. При цьому кожна нова технологія зменшує геометричні розміри мінімум із множником (шкалою) ~ 0.7x, збільшує ~ 2.0 рази щільність пакування транзисторів в мікросхемі та приблизно в 1.5 рази пришвидшує швидкість перемикання троанзистора. Отже, доходимо висновка, що дія емпіричного закона Мура триває і має тривати, принаймі, ще десятиліття. Подивимося на порівняння розмірів сучасного 90нм транзистора фірми Інтел із вірусом грипа. Ці розміри є практично збіжними. Зауважимо, що зараз (2002 рік) Інтел розпочала дослідження з випуску так званого терагерцного транзистора, тобто напівпровідникового прилада, що має функціонувати із тактовою частотою 1000 ТГц = 1 000 000 МГц = 1 000 000 000 000 Гц. Фактично в освоєній 90 нанометровій технології випуску транзисторів інтегральної схеми вже вперше у світі, як для серійної продукції, застосовано нанотехнології, бо позначений на наступному рисунку силіконовий ізолятор має фантастичну товщину в 1.2 нм. Отже, цей ізолятор має товщину в 5 атомів. Наступним рисунком подано інформацію про кристали статичної пам'яті. Такі комірки Ін тел використовує при побудові накристальної кеш-пам'яті власних процесорів. Нагадаємо, що стандартно одна комірка швидкої кеш-пам'яті містить шість транзисторів (динамічної – один, але вона є повільною). Площа комірки дорівнює одному квадратному мікрометру. Отже, на кристалі, що вже зараз містить 300 млн. транзисторів, можна реалізувати кеш на 300/6=50 мегабітів (8.5 мегабайтів) статичної кеш-пам'яті першого та другого рівнів. На рисунку, наведеному нижче, розміри кристала такої пам'яті порівнюють із розмірами монети номіналом 25 центів (так званий дайм).